Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

A significant increase in the fill factor of Schottky matrices is achieved by reading the charge accu-mulated in the Schottky diode not by using charge-coupled device (CCD) registers but by injecting it into the signal bus, similarly to charge-injected device (CID) structures on narrow-gap semiconductors. In this case, the multielement matrix contains horizontal buses to poll the elements of the selected row, vertical signal lines, and a metal–oxide–semiconductor (MOS) switch for connecting the polled column and the matrix of photosensitive elements, each consisting of a photosensitive Schottky diode and a MOS switch.

Авторлар туралы

E. Kerimov

State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: E_Kerimov.fizik@mail.ru
Baku, AZ 1073 Azerbaijan

Әдебиет тізімі

  1. Курбатов J.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра // М.: изд. МФТИ, 1999. 320 с.
  2. Справочник по инфракрасной технике (ред. Волф У., Цисис Г., перевод с англ. под ред. Мирошникова М.М., Васильченко H.B.). М.: “Мир”, 1999. 472 с.
  3. Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Многоэлементные ИК-приемники на основе барьеров Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера // Оптический журн. 2008. № 8. С. 53–59.
  4. Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора с барьером Шоттки, ИК-детектор и фотоприемная матрица, чувствительная к ИК-излучению: Пат. 2335823 Российской Федерации от 23.10.2006.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2.

Жүктеу (66KB)
3.

Жүктеу (60KB)
4.

Жүктеу (50KB)

© Э.А. Керимов, 2022