Изучение изменения состава поверхности CdTe при имплантации ионов O₂⁺ и последующего отжига

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом имплантации ионов O₂⁺ в монокристаллическую пленку CdTe/Mo(111) с последующим отжигом при T= 800 К в течение 30 мин получена пленка CdTeO3. Установлено, что в валентной зоне пленки CdTeO3 имеются 3 максимума обусловленные возбуждением электронов из 5s электронов Cd и 2p электронов O и из гибридизированных уровней 5s Cd + 2p O. При имплантации ионов O₂⁺ с E0 ≥ 10 кэВ соединения типа Cd-Te-O образовались в приповерхностном слое, следовательно, формировалась трехслойная наносистема типа CdTe/CdTeO/CdTe.

Об авторах

А. А. Абдуваитов

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Email: ftmet@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

Х. Х. Болтаев

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Email: ftmet@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

Б. Е. Умирзаков

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Email: ftmet@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

Д. А. Ташмухамедова

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Автор, ответственный за переписку.
Email: ftmet@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

Г. Абдурахмонов

Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека

Email: ftmet@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

Список литературы

  1. Bube R.H. // Proc. of the Symp. Mater. New Process. Technol. Photovolt. V. 83–11. (New Jersey, 1983) P. 359.
  2. Lee C.H., Park S.W., Jaesun Lee et al. // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. P. 668.
  3. Рыжков М.С., Худайбердиев Д.А., Козлов Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 115. № 4. С. 230; Ryzhkov M.S., Khudaiberdiev D.A., Kozlov D.A. et al. // JETP Lett. 2022. V. 115. No. 4. P. 202.
  4. Orletskyi I.G., Ilashchuk M.I., Maistruk E.V. et al. // Ukr. J. Phys. 2019. V. 64. No. 2. P. 164.
  5. GuillénCervantes A., BecerrilSilva M., SilvaLópez H.E. et al. // J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020. V. 31. P. 7133.
  6. Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж., Музаффарова С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 21. С. 82; Zhanabergenov Zh., Mirsagatov Sh.A., Karazhanov S. Zh., Muzaffarova S. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. No. 11. P. 917.
  7. Умирзаков Б.Е., Содикжанов Ж.Ш., Ташмухамедова Д.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 12. С. 3; Umirzakov B.E., Sodikjanov J.Sh., Tashmukhamedova D.A. et al. // Tech.Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 8. P. 620.
  8. Селькин А.В., Юлдашев Н.Х. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 879; Selkin A.V., Yuldashev N.Kh. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. № 6. P. 771.
  9. Kapadnis R.S., Kale S.S., Wagh V.G. // IOSR-JEN. 2013. V. 3. No. 8. P. 01.
  10. Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Алешкин В.Я. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 861; Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Aleshkin V.Ya. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 755.
  11. Иконников А.В., Криштопенко С.С., Бовкун Л.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 116. № 8. С. 535; Ikonnikov A.V., Krishtopenko S.S., Bovkun L.S. et al. // JETP Lett. 2022. V. 116. No. 8. P. 547.
  12. Рыжков М.C., Козлов Д.А., Худайбердиев Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 117. № 1. С. 50; Ryzhkov M.S., Kozlov D.A., Khudaiberdiev D.A. et al. // JETP Lett. 2023. V. 117. No. 1. P. 44.
  13. Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Хушея Т.А.Н., Яцык И.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 14. С. 1682; Ulanov V.A., Zainullin R.R., Housheya T.A.H., Yatsyk I.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2021. V. 85. No. 12. P. 1337.
  14. Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Еремина Е.О. // ФТП. 2010. Т. 44. № 7. С. 978; Belyaev A.P., Rubets V.P., Antipov V.V., Eremina E.O. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 7. P. 946.
  15. Клюй Н.И., Лозинский В.Б., Лукьянов А.Н. и др. // ЖТФ. 2012. Т. 82. № 8. С. 83; Klyui N.I., Lozinskii V.B., Luk’yanov A.N. et al. // Techn. Physics. 2012. V. 57. No. 8. P. 1121.
  16. Wang F., Schwartzman A., Fahrenbruch A.L. et al. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. P. 1469.
  17. Espinoza-Beltrán F.J., Sánchez-Sinencio F., Zelaya-Angel O. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Part 2. Art. No. L1715.
  18. Espinoza-Beltrán F.J., Zelaya O., Sánchez-Sinencio F. et al. // J. Vac. Sci. Techol. A. 1993. V. 11. P. 3062.
  19. Zapata-Navarro A., Zapata-Torres M., Sosa V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 714.
  20. Werthen J.G., Häring J.P., Bube R.H. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 1159.
  21. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2014. № 4. С. 24; Boltaev Kh.Kh., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2014. V. 8. No. 2. P. 326.
  22. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Джурабекова Ф.Г., Умирзаков Б.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 2. С. 162; Ergashov E.S., Tashmukhamedova D.A., Djurabekova F.G., Umirzakov B.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 2. P. 138.
  23. Ташмухамедова Д.А., Юсупжанова М.Б. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2016. V. 12. P. 89; Tashmukhamedova D.A., Yusupjanova M.B. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2016. V. 10. No. 6. P. 1273.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024