Микроэлектроника
ISSN 0544-1269 (Print)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Ретрагированные статьи
Архив
Контакты
Подписка
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
атомы фтора
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
молекулярно-лучевая эпитаксия
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
резистивные переключения
рутений
температура газа
тестирование
травление
удельная мощность
Текущий выпуск
Том 54, № 3 (2025)
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
атомы фтора
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
молекулярно-лучевая эпитаксия
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
резистивные переключения
рутений
температура газа
тестирование
травление
удельная мощность
Текущий выпуск
Том 54, № 3 (2025)
Главная
>
Поиск
>
Разделы журнала
>
МЕМРИСТОРЫ
МЕМРИСТОРЫ
Выпуск
Название
Файл
Том 54, № 3 (2025)
Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки
(Rus)
Фадеев А.В., Руденко К.В.
Том 54, № 3 (2025)
Обучение с подкреплением импульсной нейронной сети с использованием следовых переменных для синаптических весов с мемристивной пластичностью
(Rus)
Кулагин В.А., Мацукатова А.Н., Рыльков В.В., Демин В.А.
Том 54, № 2 (2025)
Многоуровневые переключения в мемристивных структурах на основе оксидированного селенида свинца
(Rus)
Тулина Н.А., Россоленко А.Н., Шмытько И.М., Борисенко И.Ю., Борисенко Д.Н., Колесников Н.Н.
Том 53, № 6 (2024)
Моделирование особенностей работы мемристивного кроссбар-массива в нейроморфных электронных модулях
(Rus)
Дудкин А.П., Рындин Е.А., Андреева Н.В.
Том 53, № 6 (2024)
Краткий обзор типологии нейронов и анализ использования мемристорных кроссбаров
(Rus)
Токарев А.А., Хорин И.А.
Том 53, № 4 (2024)
Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора
(Rus)
Фадеев А.В., Руденко К.В.
1 - 6 из 6 результатов
TOP