Расшифровка рентгеновских фотоэлектронных спектров образцов Ge(111), GeO2/Ge(111), C60F18/Ge(111) с помощью квантово-химических расчетов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Валентная полоса фотоэлектронных спектров комплексных образцов (многокомпонентных образцов, образцов с оксидными пленками, адсорбированными на поверхности молекулами) имеет сложную структуру, что затрудняет интерпретацию вкладов различных компонентов образца в структуру спектров. Рассмотрен метод расшифровки спектров валентной зоны в результате расчета с помощью методов квантовой химии плотности электронных состояний для физического объема — атомарной модели, наиболее полно характеризующей исследуемый образец. Оптимальное положение атомов в заданном физическом объеме расчетной модели находили с помощью итерационного метода численной оптимизации BFGS (Broyden–Fletcher–Goldfarb–Shanno) с учетом пространственного распределения потенциала, получаемого из квантово-химического расчета. Расчет производили при помощи кода, написанного на языке Python с применением библиотек ASE и GPAW (среда атомного моделирования и проекционный метод присоединенных волн в сеточной реализации), на оборудовании суперкомпьютерного вычислительного кластера. Полученные с помощью расчета данные были сравнены с измеренными фотоэлектронными спектрами различных систем, таких как Ge(111), GeO2/Ge(111), C60F18/Ge(111), C60F18/GeO2/Ge(111). Проведенный анализ позволил определить вклады различных атомов и связей в итоговый фотоэлектронный спектр, оценить толщины отдельных слоев и определить типы связей молекул с подложкой.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. А. Шрамков

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Автор, ответственный за переписку.
Email: Egor@Shramkov.ru
Россия, Москва

А. А. Андреев

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Egor@Shramkov.ru
Россия, Москва

Р. Г. Чумаков

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Egor@Shramkov.ru
Россия, Москва

В. Г. Станкевич

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Egor@Shramkov.ru
Россия, Москва

Л. П. Суханов

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Egor@Shramkov.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Ред. Фирменс Л. и др. М.: Мир, 1981. 468 с.
  2. Feibelman P.J., Eastman D.E. // Phys. Rev. B. 1974. V. 10. № 12. Р. 4932. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.10.4932
  3. Preobrajenski A., Generalov A., Öhrwall G., Tchaplyguine M., Tarawneh H., Appelfeller S., Frampton E., Walsh N. // J. Synchrotron Radiat. 2023. V. 30. P. 831. https://doi.org/10.1107/S1600577523003429
  4. Eidhagen J., Larsson A., Preobrajenski A., Delblanc A., Lundgren E., Pan J. // J. Electrochem. Soc. 2023. V. 170. № 2. Р. 021506. https://doi.org/10.1149/1945-7111/acba4b
  5. Hryniewicz T., Rokosz K., Sandim H.R.Z. // Appl. Surf. Sci. 2012. V. 263. P. 704. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.09.060
  6. Wang Z., Carrière C., Seyeux A., Zanna S., Mercier D., Marcus P. // Appl. Surf. Sci. 2022. V. 576. P. 151836. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151836
  7. Xiao X., Chang K., Xu K., Lou M., Wang L., Xue Q. // J. Mater. Sci. Technol. 2022. V. 167. P. 494. https://doi.org/10.1016/j.jmst.2023.05.042
  8. Лебедев А.М., Суханов Л.П., Бржезинская М., Меньшиков К.А., Свечников Н.Ю., Чумаков Р.Г., Станкевич В.Г. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 8. С. 30. https://doi.org/10.7868/s0207352817080042
  9. Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Nikonov S.Yu., Solonitsyna A.P., Marchenko D.E. // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 5. С. 506. https://doi.org/10.21883/ftp.2018.05.45850.39
  10. Лебедев А.М., Меньшиков К.А., Назин В.Г., Станкевич В.Г., Цетлин М.Б., Чумаков Р.Г. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2021. № 10. С. 44. https://doi.org/10.31857/S1028096021100125
  11. Larsen A.H., Mortensen J.J., Blomqvist J. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2017. V. 29. P. 273002. https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa680e
  12. Mortensen J.J., Larsen A.H., Kuisma M. et al. // J. Chem. Phys. 2024. V. 160. Iss. 9. P. 092503. https://doi.org/10.1063/5.0182685
  13. Larsen AH., Vanin M., Mortensen J.J., Thygesen K.S., Jacobsen K.W. // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 80. P. 195112. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.195112
  14. Gandus G., Valli A., Passerone D., Stadler R. // J. Chem. Phys. 2020. V. 153. Iss. 19. P. 194103. https://doi.org/10.1063/5.0021821
  15. Maniopoulou A., Davidson E.R.M., Grau-Crespo R., Walsh A., Bush I.J., Catlow C.R.A., Woodley S.M. // Comput. Phys. Commun. 2012. V. 183. Iss. 8. P. 1696. https://doi.org/10.1016/j.cpc.2012.03.009
  16. Bairagi K., Bellec A., Chumakov R.G. et al. // Surf. Sci. 2015. V. 641. P. 248. https://doi.org/10.1016/j.susc.2015.05.020

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Изменение процесса работы расчетного кода в зависимости от выбранного базисного набора для Ge(111): 1 — dz, время решения 116 с, использованная память 123 Мб; 2 — dzp, 344 с, 227 Мб; 3 — tzp, 395 с, 263 Мб; 4 — tzdp, 400 с, 280 Мб.

Скачать (23KB)
3. Рис. 2. Сравнение фотоэлектронных спектров, полученных экспериментально (1) и теоретически (2) для Ge(111), а также спроецированные плотности электронных состояний для Ge4s (3), Ge4p (4); справа показано расположение атомов в расчетной модели.

Скачать (34KB)
4. Рис. 3. Сравнение фотоэлектронных спектров, полученных экспериментально (1) и теоретически (2) для GeO2/Ge(111), а также спроецированные плотности электронных состояний для Ge4s (3), Ge4p (4), O2p (увеличены в пять раз) (5); справа показано расположения атомов в расчетной модели.

Скачать (36KB)
5. Рис. 4. Экспериментальный (1) и расчетные (2, 7) фотоэлектронные спектры и спроецированные плотности электронных состояний основных электронных уровней Ge4s (3), Ge4p (4), C2p (увеличены в 10 раз) (5), F2p (увеличена в 100 раз) (6, 8) для систем C60F18/Ge(111) (1–6) и C60F18/GeO2/Ge(111) (8), а также локальные плотности электронных состояний F2p для связей F–Ge (9) и F–C (10); справа показано расположение атомов в расчетных моделях.

Скачать (56KB)

© Институт физики твердого тела РАН, Российская академия наук, 2025